Syskey 等离子增强化学气相沉积 PECVD

我们生产用于的 PECVD 系统,  气体管线可实现硅基材料沉积。全自动作支持一键工序。

配置和优势：

• 灵活的基板尺寸可达 12 英寸
• 基板支架加热至 400 °C
• 优异的薄膜均匀性，低于 ±5%
• 6 条反应性气体管路，适用于 SiO2、Si3N4 沉积
• 用选定的目标材料沉积多层薄膜
• 负载锁定是可选的
• 等离子自清洁是可选的
• TEOS 工艺是可选的