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半导体微纳检测仪器 > Rigaku日 X射线衍射仪
 
WaferX 310 X射线荧光分析仪
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日本Rigaku X射线荧光分析仪 WaferX 310, 通过X射线以大角度照射在镀膜的硅片样品上,产生镀膜 样品的相应特征X射线的方法,进而分析测量硅片样品的 镀膜厚度。

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产品详情

日本Rigaku X射线荧光分析仪 WaferX 310

XRF Wafer X310 主要组成:

包含以下四个主要组成

1  主机台(Main Body)

2  样品传送系统 (EFEM Module)

3  X射线发生器整合热交换器(X-ray Generator with Heat exchanger)

4  电源控制箱 (Power box)

5  主机台(Main Body)

6  样品传送系统 (EFEM Module)

 

 

1-3 X射线发生器整合热交换器

(X-ray Generator with Heat exchanger)

1-4 电源控制箱(Power box)

 

2.机台的主要功能:

通过X射线以大角度照射在镀膜的硅片样品上,产生镀膜样品的相应特征X射线的方法,进而分析测量硅片样品的镀膜厚度。

 

 

3. 机台的工作原理:

由设备内部的X射线管在外加高压与电流的情况下产生X射线,并将X射线入射在所需测量的镀膜硅片上时并激发出镀膜所含元素原子内层轨道上的电子,其空出的位置很快被外层跃进的电子填满,在电子跃进的过程中,由于能级差会释放出X射线。这种X射线与电子轨道能级有关,波长与元素原子种类有关,我们称之为特征X射线。通过机台内部的接受器将特征X射线转换成电信号,并统计其单位时间内所接受的个数,从而分析硅片样品的镀膜厚度。

4. X光管的工作原理

 

X光管前方为一高真空腔,高压由上方的高压线供应+40KV到前方的铑材质的钯材(Rh Target)上,并在前方一对灯丝上供应AC12V电压。此时灯丝会游离出带负电的热电子并受钯材上的正高压吸引而撞击钯材并激发出钯材物质所带有的特征X射线,最后经由前方铍窗射出。

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