Copyright © 2019 深圳市蓝星宇电子科技有限公司 All Rights Reserved 粤ICP备12009628号 | 友情链接(旧版网站)
CANON光刻机主要型号及参数详解
CANON(佳能)的光刻机虽然在市场份额上不如ASML,但在特定领域(如IC前道、后道封装、面板显示等)仍有一定竞争力。以下是佳能主要光刻机型号及参数的详细解析,分为前道制程和后道/其他应用两大类:
佳能的前道光刻机主要采用步进式(Stepper)和扫描式(Scanner)技术,但技术节点相对ASML较落后,主要面向成熟制程。
型号:FPA-8000iW / FPA-8000AS
关键技术:
分辨率:≤65nm(搭配多重曝光可延伸至40nm)
曝光方式:步进重复式(Stepper)
光源:KrF(248nm)或 i-line(365nm)
晶圆尺寸:200mm(8英寸)或300mm(12英寸)
产能:约100-120片/小时(300mm晶圆)
应用:成熟制程逻辑芯片、模拟芯片、功率器件等。
型号:FPA-3000EX4 / FPA-3000EX6
特点:
分辨率:0.35μm(i-line)或0.18μm(KrF)
晶圆尺寸:200mm(8英寸)
定位:低端IC、MEMS、传感器制造。
佳能在封装、面板(FPD)和PCB领域技术更成熟,市场份额较高。
型号:MPA-8000 / MPA-6000
基板尺寸:Gen 8.6(2250×2600mm)至Gen 10.5(2940×3370mm)
分辨率:3-5μm(OLED/LCD面板制造)
技术:采用投影曝光或接触式曝光。
型号:FPA-5520iV / FPA-3030iWa
分辨率:1-2μm(适用于Flip Chip、TSV等先进封装)
对准精度:±0.5μm
光源:i-line或KrF。
佳能近年通过收购Molecular Imprints(MII)布局纳米压印技术,试图绕过EUV技术壁垒:
型号:FPA-1200NZ2C
分辨率:<10nm(理论极限)
应用:NAND闪存、光子器件等。
优势:无需复杂光学系统,成本低,但量产速度较慢。
参数 |
佳能(CANON) |
ASML |
技术节点 |
65nm以上(光学)/<10nm(NIL) |
5nm以下(EUV) |
光源类型 |
i-line/KrF |
KrF/ArF/EUV |
主要市场 |
封装/面板/成熟制程 |
高端逻辑/存储芯片 |
产能 |
中低 |
高 |
1. 技术落后:缺乏EUV和高端DUV技术,无法支持7nm以下制程。
Copyright © 2019 深圳市蓝星宇电子科技有限公司 All Rights Reserved 粤ICP备12009628号 | 友情链接(旧版网站)