ASML光刻机主要型号及参数

以下是ASML（阿斯麦）目前主要的光刻机型号及其关键参数的详细列表，涵盖DUV（深紫外）和EUV（极紫外）两大技术路线：

一、EUV光刻机（极紫外光刻）

1. TWINSCAN NXE:3600D

波长: 13.5 nm（EUV）

分辨率: ≤13 nm（单次曝光）

套刻精度: ≤1.1 nm

产能: 160片/小时（300mm晶圆）

NA（数值孔径）: 0.33

应用: 5nm及以下节点逻辑芯片、3D NAND存储。

2. TWINSCAN NXE:3800E（2023年推出）

波长: 13.5 nm

分辨率: ≤8 nm（支持High-NA技术）

NA: 0.55（High-NA）

产能: 185片/小时

特点: 首款High-NA EUV光刻机，用于2nm及以下工艺。

3. TWINSCAN NXE:3400C（早期型号）

分辨率: ≤16 nm

产能: 125片/小时

NA: 0.33

应用: 7nm/5nm工艺研发。

二、DUV光刻机（深紫外光刻）

1. ArFi 光刻机（浸没式）

TWINSCAN NXT:2050i

波长: 193 nm（ArF激光）

分辨率: ≤38 nm（浸没式）

套刻精度: ≤2.5 nm

产能: 275片/小时

NA: 1.35

应用: 7nm/10nm工艺多重曝光。

TWINSCAN NXT:2000i

分辨率: ≤40 nm

产能: 250片/小时

特点: 成熟型号，广泛用于成熟制程。

2. ArF 干式光刻机

TWINSCAN XT:1460K

分辨率: ≤65 nm

产能: 180片/小时

NA: 0.93

应用: 成熟制程（如28nm以上）。

3. KrF 光刻机

TWINSCAN XT:860N

波长: 248 nm（KrF激光）

分辨率: ≤80 nm

产能: 300片/小时

应用: MEMS、模拟芯片、功率器件。

4. i-line 光刻机

TWINSCAN XT:400L

波长: 365 nm

分辨率: ≤220 nm

产能: 350片/小时

应用: 封装、传感器、传统半导体。

三、特殊型号

PAS 5500系列（早期型号，已逐步淘汰）

YieldStar 量测系统：配套光刻机的计量设备，用于实时检测套刻误差和关键尺寸。

四、关键参数对比表

五、注意事项

技术限制：

1.EUV光刻机受限于光源功率和掩模缺陷，产能较低且成本极高（单台超3亿美元）。

2.DUV光刻机通过多重曝光可实现7nm，但工艺复杂度大幅增加。

出口管制：

• 部分高端型号（如EUV）受《瓦森纳协定》限制，无法向中国出口。

最新动态：

1.ASML正在研发下一代Hyper-NA EUV（NA≥0.7），目标2030年商用。