德国 Sentech 感应耦合等离子增强化学气相沉积系统 SI 500 D

超高密度等离子体

SI 500D具有特殊的等离子体特性，如高密度、低离子能量和介质膜的低压沉积。

平面等离子体源

森泰克专利的平面三螺旋天线(PTSA)等离子体源允许高效率低功率耦合。

杰出的沉积特性

低腐蚀速率、高击穿电压、低应力、基体无损伤、界面状态密度极低，沉积温度小于100℃，使沉积薄膜具有优异的性能。
 

动态温度控制

采用动态温度控制的基片电极，结合He背面冷却和基片背面温度传感，在室温至+350℃的大范围温度范围内，提供优良的稳定工艺条件。

SI 500d代表了等离子体增强化学气相沉积介电薄膜、a-Si、SiC和其他材料的前沿。它基于PTSA等离子体源，反应气体分离气体入口，动态控温基片电极，全控真空系统，采用远程现场总线技术的先进森泰克控制软件，以及一个非常友好的通用用户界面来操作SI 500D。

从直径200毫米的晶圆片到负载在载体上的各种基板，都可以在SI 500 d中进行加工。

SI 500D等离子体增强沉积工具可在室温至350℃范围内沉积SiO2、SiNx、SiONx和a- SI薄膜。溶液可用来沉积TEOS、SiC和其他具有液体或气体前驱体的材料。SI 500 D特别适用于有机材料在低温下沉积高效的保护屏障，以及在规定温度下无损伤沉积钝化膜。

森泰科提供不同的自动化水平，从真空盒式磁带加载到一个过程室，多达六个端口集群，具有不同的沉积和蚀刻模块，目标是高灵活性或高吞吐量。SI 500d也可以作为集群配置上的进程模块。
 

SI 500 D

ICPECVD等离子体沉积工具

与真空loadlock

高达200毫米晶圆

衬底温度从RT到350℃

激光端点检测

可选的衬底偏置