ASML光刻机型号与性能详解

ASML是全球领先的光刻机制造商，其产品广泛应用于半导体制造，尤其是高端芯片的生产。以下是ASML主要光刻机型号及其性能的详细介绍：

1. 深紫外（DUV）光刻机

(1) 干式光刻机

​     型号: TWINSCAN XT系列（如XT:1900Gi, XT:2000i）

光源: 248nm（KrF激光）或193nm（ArF激光）

分辨率: 约38nm（单次曝光）

应用: 成熟制程（如90nm至28nm节点）

特点: 成本较低，适用于中低端芯片制造。

(2) 浸没式光刻机

型号: TWINSCAN NXT系列（如NXT:1980Di, NXT:2050i）

光源: 193nm（ArF浸没式）

分辨率: 约38nm（单次曝光），通过多重曝光可支持7nm-10nm节点。

产能: 高达275片晶圆/小时（NXT:2050i）。

应用: 7nm及以上制程（如汽车芯片、IoT设备等）。

特点: 浸没式技术通过水介质提升分辨率，是目前成熟制程的主流设备。

2. 极紫外（EUV）光刻机

(1) 第一代EUV

型号: TWINSCAN NXE:3400B/C

光源: 13.5nm极紫外光（EUV）

分辨率: 13nm（单次曝光），支持5nm-7nm制程。

产能: 约170片晶圆/天（NXE:3400C）。

应用: 5nm-7nm逻辑芯片（如手机处理器、AI芯片）。

(2) 第二代EUV（High-NA EUV）

型号: TWINSCAN NXE:3600D（2021年推出）及下一代EXE:5000系列

光源: 13.5nm EUV，数值孔径（NA）从0.33提升至0.55。

分辨率: 8nm（单次曝光），支持2nm及以下制程。

产能: 目标提升至220片晶圆/天（EXE:5000）。

应用: 未来3nm、2nm及更先进节点。

特点: High-NA技术大幅提升精度，但成本极高（单台超3亿美元）。

3. 特殊应用光刻机

型号: TWINSCAN XT:860N（用于封装）

光源: 365nm（i-line）

应用: 芯片封装、MEMS制造等后道工艺。

特点: 大视场曝光，适合高产量封装需求。

关键性能对比

技术趋势

• EUV主导先进制程: 3nm以下芯片必须依赖High-NA EUV
• DUV持续需求: 成熟制程（如28nm）仍依赖浸没式DUV，尤其受地缘政治影响（如中国扩产成熟制程）。
• 产能与成本平衡: EUV设备维护复杂，客户需权衡技术升级与投资回报。